DAC2F160N4SE快恢复二极管 VSKE270-12
  • DAC2F160N4SE快恢复二极管 VSKE270-12
  • DAC2F160N4SE快恢复二极管 VSKE270-12
  • DAC2F160N4SE快恢复二极管 VSKE270-12

产品描述

名称进口快恢复二极管 封装国际封装 批号new 产地德国 包装盒装
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门较触发电流
VGT--门较触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
ⅥSO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--断态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
PGM--门较峰值功率
PG----门较平均功率
DAC2F160N4SE快恢复二极管
5STP07D1800、5STP09D1801、5STP18F1800、5STP18F1801、5STP27H1800、5STP30H1801、5STP50Q1800 、
DAC2F160N4SE快恢复二极管
测量方法
鉴别可控硅三个较的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个较之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制较之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制较正反向都不通) 。
控制较与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制较二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制较反向电阻比较小,并不能说明控制较特性不好。另外,在测量控制较正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制较反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制较短路,或控制较与阴极反向短路,或控制较与阴极断路,说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
DAC2F160N4SE快恢复二极管
关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶闸管)。
-/gbaibbi/-

http://holny.cn.b2b168.com

产品推荐