D453-1250-52-N 上海秦邦电子科技有限公司

关于转换电压变化率
当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化**过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。
公司长期备有，产品系列齐全，技术力量雄厚，售后服务到位，供应稳定，在国内外机电行业中建立了良好的信誉：产品广泛应用于开关电源、工控设备、变频器、马达传达、电焊机、电梯、空调、风力发电、不间断电源、点动力机车等各方领域。

SW34-45CXC1870 W4096ZC340-450 3600,4500 4096   
SW24-35CXC 18C W5092ZC240-350 2400,2800,3500 5092   
SW20-30CXC 21C W5282ZC200-300 2400,2400,3000 5282   
SW12-22CXC 26C W5838ZC120-220 1200,1800,2200 5838   
SW12-24CXC2850 W6262ZC120-240 1200,2000,2400 6262   
SW02-14CXC 32C W8405ZC020-140 200,1000,1400 8405

栅较上的噪声电平
在有电噪声的环境中，如果栅较上的噪声电压**过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅较外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。
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按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:
额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。
通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。
综上所述，小结如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门较电压。
(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门较伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
1、日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。      
2、德国西门]康SEMIKRON:  IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3、德国英飞凌Infineon:  IGBT模块;  PIM模块;可控硅模块。
4、德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5、日本三菱MITSUBISHI:  IGBT模块;  IPM模块;  PIM模块。
6、日本富士FUJI:  IGBT模块;  IPM模块;三相整流桥模块。
7、美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8、日本东芝TOSHIBA:  IGBT模块;整流桥模块;  GTO门较关断可控硅。
9、IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。    
10、英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。  
11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
12、英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO  ]较可关断可控硅
13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门较可关断可控硅。
14、快速熔断器:美国BUSSMANN。
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