型号T590N16TOF
封装国际封装
批号new
系列T系列
电压1600v
由赛米控又名西门康(SEMIKRON)出品,其原产于德国,又叫IGBT功率模块/IGBT智能模块,批号:2014/2015年预订全新年份,全新原装德国进口。
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可控硅从外形主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极(A)阴极(C)和控制较(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二较度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制较的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制较加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
产品广泛应用于电焊机、变频器、马达控制器、电力操作电源、电镀电源、UPS、EPS、纺织机械、高频感应加热、变频电源、开关电源、航天航空、机场设施、码头装卸、电机调速、矿山焊机、钻井机械、逆变电源、通信电源、车载电源等提供的服务,并在自动化控制、科研、石油勘测、 机械、消防行业、仪器仪表、通信业、船舶工业、等等,凭借着高质量的产品,良好的信誉,的服务,竭诚与国内外商家双赢合作,共同发展,共创辉煌!
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按一机部IBI144一75的规定,普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:
额定速态平均屯成系列共分为14个,如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级,1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志,如表1-6所示。
通态平均电压组别依电压大小分为9组,用宇毋表示,如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V,管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。
综上所述,小结如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三个电极,用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门较电压。
(3)可控硅导通后,当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线,2.门较伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
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关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶闸管)。
ABB可控硅 5STP 系列普通晶闸管其规格型号近百种,可满足大功率的工业生产,电气传动领域的需要,尤其在电力系统中, 这些元件广泛应用于高压直流输电(HVDC)、功率励磁柜,整流柜,充电机 ,同步电动机励磁整流柜,交流变频电机,电磁除铁器,直流电源,晶闸管投切电容,可控串联补偿装置(TCSC,Thyristor Controlled Series Compensation),静止无功补偿器(SVC),晶闸管控制电抗器(TCR),晶闸管投切电容器组,高压晶闸管投切电容器组, ,电机,动力制动电源柜 ,无功补偿,电气传动 ,交流输电、,高压变频 、励磁 ,高压软启动、电解直流电源、PWM、矿井提升机、斩波 、谐波抑制装置,绞车电控,矿用皮带机,电镀电源, 变频电源等各种整流、逆变和变频领域.等场合
产品广泛应用于电焊机、变频器、马达控制器、电力操作电源、电镀电源、UPS、EPS、纺织机械、高频感应加热、变频电源、开关电源、航天航空、机场设施、码头装卸、电机调速、矿山焊机、钻井机械、逆变电源、通信电源、车载电源等提供的服务,并在自动化控制、科研、石油勘测、 机械、消防行业、仪器仪表、通信业、船舶工业、等等,凭借着高质量的产品,良好的信誉,的服务,竭诚与国内外商家双赢合作,共同发展,共创辉煌!
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