VSKC320-20 上海秦邦电子科技有限公司

正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值  ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新原装IXYS二极管模块
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B 
MDA72-14N1B 
MDA72-16N1B
MDD26-08N1B 
MDD26-12N1B
MDD26-14N1B 
MDD26-16N1B 
MDD26-18N1B 
MDD44-08N1B 
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MDD44-16N1B
MDD44-18N1B
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MDD56-18N1B
MDD72-08N1B 
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MDO500-14N1 
MDO500-16N1 
MDO500-18N1

反向性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块：
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MDR250A50
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DWR40A30
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DWR100A30
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DWF40A40
DWF70BB40
DWF70A40
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SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
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DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
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DG20AA80
DG20AA40 
DG20AA160
快速恢复二极管模块 
Fast Recovery Diode Modules  
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FRG25CA120
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FDF25CA100
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BKR400AB10
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DBA100UA60 
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DBA200UA40 
DBA200UA60

二极管的正负二个端子。正端A称为阳极，负端K ；称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半’是一半的‘半’；而二极管也是只有一‘半’电流流动（这是错误的），所有二极管就是半导体 ；”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。
特价供应WESTCODE、英飞凌、infineon、POWEREX等型号系列电力电子元器件。原装英国西码WESTCODE   N系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列、SW系列普通二极管

二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
正向特性
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值，反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
PROTON二极管
二极管模块
MD3-660-18-A2-N
MD3-580-26-A2-N
MD3-470-44-A2-N
MD3-320-65-A2-N
MD3-515-36-A2-N
MD3-380-52-A2-N
MD3-320-18-C-N
MD3-250-26-C-N
MD3-200-34-C-N
MD3-1000-28-D-N
MD3-800-44-D-N
MD1-950-44-E-N
MD1-1125-28-E-N
MD1-1280-22-E-N
MD3-245-18-F-N
MD3-215-22-F-N
MD3-175-28-F-N
MD3-155-36-F-N
http://holny.cn.b2b168.com
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