VSKT92/16S90P

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分

R210SH10-12 R185SH08-12 R216SH08-12 R181SH14-16 R175SH20-25
R180SH06-10 R190SH10-14 R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12
R270SH04-08 R305SH14-21 R350SH08-12 5SH10-14 R355SH08-12
R395SH14-21 D391SH22-25 D390SH18-25 D450SH10-12 R400SH08-12
D405SH14-20 R500CH20-28 R600CH18-25 R610CH22-25 R800CH16-18
R1200CH10-12 R1863CH24-28 R1966CH16-20

供应英国西码WESTCODE平板可控硅,晶闸管元件
●N系列相控可控硅（Phase Control Thyristors） 
●R系列快速可控硅（Distributed Gate Thyristors） 
●SM系列快速二极管（Fast Recovery Diodes） 
●SW系列普通二极管（Rectifier Diodes） 
N170CH12-16 N195CH12-16 N275CH02-08 N282CH20-25 N281CH12-18
N280CH12-16 N283CH12-14 N310CH02-06 N255CH36-45 N257CH26-42
N260CH30-36 N330CH20-26 N350CH12-18 N370CH12-18 N520CH12-16
N320CH40-45 N360CH30-38 N390CH30-32 N450CH20-26 N490CH20-26
N510CH16-20 N540CH12-18 N600CH12-16 N610CH06-10 N500CH30-42
N570CH30-36 N680CH20-26 N740CH12-16 N560CH40-45 N630CH30-36
N640CH24-30 N760CH18-22 N990CH12-16 N750CH40-45 N850CH30-36
N880CH24-30 N900CH20-26 N1400CH02-20 N1600CH08-12 N1463CH36-42
N1663CH30-35 N1863CH20-28 N1483CH36-42 N1683CH29-35

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压**过一定数值后，管子才导通，电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
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