整流管 ZPA 2900-28

晶体管的主要参数：
1、反向阻断峰值电压：在额定结温和控制开路的条件下，允许重复加在阳—阴间的大反向阻断电压；
2、正向阻断峰值电压：在额定结温和控制开路及晶闸管正向阻断的条件下，重复加在阳—阴间的大正向阻断电压；
3、正向平均电流：在规定环境温度及散热条件下，允许连续通过工频正弦半波电流的平均值；
4、通态平均电压: 晶闸管导通时管压降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、维持电流：在室温和控制开路时，元件能维持导通状态所需的小阳电流；
6、控制触发电压和触发电流：在温室下，阳—阴间加规定的正向直流电压，使晶闸管导通所需的小控制电压和电流。
晶闸管(SCR)
晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。
晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应较快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪声;效率高,成本低等。因此,特别是在大功率UPS供电系统中,晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。
晶闸管的弱点:静态及动态的过载能力较差,容易受干扰而误导通。
晶闸管从外形类主要有:螺栓形、平板形和平底形。

晶闸管的种类？
1， 可关断型晶闸管 KG
普通型晶闸管，在控制较G加上正向触发信号普通型晶闸管导通后，控制较G就失去作用，要使普通型晶闸管关断，必须阳极A与阴极K的正向电压为零或加上负电压。而可关断型晶闸管只要在控制较G加上足够大且较宽的负向触发电流，就可以使晶闸管有效关断。
用途：一般使用在斩波调速、变频调速、逆变电源及直流控制电路中，如直流负载（继电器线圈、电磁阀、电磁离合器、直流电机）的电源通断、汽车点火器等。
2， 双向晶闸管 KS
普通型晶闸管，如果在阳极A与阴极K的加上负向电压，即使在控制较G加上正向触发信号，普通型晶闸管也不会导通。而双向晶闸管却能够导通。要使双向晶闸管关断，必须阳极A与阴极K的之间的电压为零。
用途：一般使用在交/直流控制电路中，如调压器；逆变器；交/直流负载开关等。
3， 逆导晶闸管KN（亦称反向导通晶闸管）
在某些应用场合（如逆变器、斩波器等）要求晶闸管阳极A与阴极K端并接反向二极管，而逆导晶闸管正是基于这个要求，在一个硅片材料上，将晶闸管与反向二极管集成在了一起。因而逆导晶闸管具有正向导通可控、反向自然导通且可通过大电流的不可控；具有耐高压、耐高温；关断时间短、通态电压低等优良性能等特点。
用途：一般用于开关电源；UPS不间断电源；高压、大功率负载上。如轨道交通的电源。
4， 快速晶闸管KK
由于在某些应用领域，要求晶闸管能够快速响应及通断功能，而快速晶闸管是在普通晶闸管制作基础上，改变了制作工艺，使得晶闸管在开通与关断时间上大幅缩短，开通时间为8μs左右；关断时间为50μs左右。主电路换向时间小于60ms，同时工作频率也提升至几千HZ。
用途：常用于UPS不间断电源；三相变频电源；中频电源；超声波电源；逆变器、斩波器；快速开关，脉宽调制器，多谐振荡器等
5，光控晶闸管
光控晶闸管是既可利用光源激发导通；也可象普通晶闸管由控制较G触发信号来导通的晶闸管，在结构上有两端（无控制较G）和三端之分。光控制是，其主电路与控制电路在电气上完全绝缘。

晶闸管损坏原因判断
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制较上。
3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制较附近或就在控制较上。
4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

晶闸管的伏安特性
晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于*三象限。
(1) 反向特性
当门较G开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,如图2的特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后,晶闸管会发生性反向击穿。
(2) 正向特性
当门较G开路,阳极A加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，如图2的BC段。
(3) 触发导通
在门较G上加入正向电压时(如图5所示),因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图2)的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
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