上海T1500N18TOF VT英飞凌可控硅

● 英飞凌(EUPEC):  IGBT功率模块、单管IGBT、1单元、2单元、6单元(600V-6500V)

栅较上的噪声电平
在有电噪声的环境中，如果栅较上的噪声电压**过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅较外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声
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SKM300GM12T4 SKM150GM12T4G SKKD260/16

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