ST180S04P1V螺栓可控硅 上海秦邦电子科技有限公司

可控硅的主要技术参数
1．正向阻断峰值电压(VPFU)
是指在控制较开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。
2．反向阻断峰值电压(VPRU)
它是指在控制较断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为反向测试电压值的80％。
3．额定正向平均电流(IF)
在环境温度为+40C时，器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4．正向平均压降(UF)
在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5．维持电流(IH)
在控制较断开时，器件保持导通状态所必需的小正向电流。
6．控制较触发电流(Ig)
阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的小控制较直流电流。
7．控制较触发电压(Ug)
是指从阻断转变为导通状态时控制较上所加的小直流电压。

可控硅的好坏如何判断？
方法一：测量较间电阻法
将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆  时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之：
1、若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；
2、如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制较G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。
方法二：检查触发导通能力A
万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。
方法三：检查触发导通能力B
取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就双向可控硅是好的。
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号，更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。

可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制较(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时(若控制较不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制较上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通，控制较便失去其控制作用。就是说，导通后撤去栅较电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

多种用途的可控硅
根据结构及用途的不同，可控硅已有很多不同的类型，除上述介绍的整流用普通可控硅之外还有；①快速可控硅。这种可控硅可以工作在较高的频率下，用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和调制器等电路中。②双向可控硅。它的特点是可以使用正的或负的控制较脉冲，控制两个方向电流的导通。它主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光调节及直流电极调速和换向电路等。③逆导可控硅。主要用于直流供电车辆(如无轨电车)的调速。④可关断可控硅。这是一种新型可控硅，它利用正的控制较脉冲可触发导通，而用负的控制较脉冲可以关断阳极电流，恢复阻断状态。利用这种特性可以做成无触点开关或用于直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。
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