MDC40A1600V

主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：
1、整流电流IF
是指二极管长期连续工作时，允许通过的正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度**过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要**过二极管整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温（25℃）和反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是**过此值。则单向导电性将受影响。
6，电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
 EUPEC二极管模块：DD Series－－－－ Diode / Diode Phase Control  双二极管模块
DD89N12K
DD89N14K
DD89N16K
DD89N18K  
DD98N20K
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DD104N12k
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DD104N16k
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反向性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块：
DD25F120
DD25F160
DD40F120
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DD55F120
DD55F160
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DD200HB160
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DD100GB80
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KD100GB80 
KD30HB120
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DWR50A30
DWR70A30
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MDFR250A-L
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MDFR250A-M
MDF250A-L
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MDR200A30
MDR200A40
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MDR250A30
MDR250A40
MDR250A50
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DWR50A30
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DWR100A30
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DWF70BB30
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DWF40A40
DWF70BB40
DWF70A40
DWF50A30
DWF40A30
SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
DSR200AA60
DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
DG20AA80
DG20AA40 
DG20AA160
快速恢复二极管模块 
Fast Recovery Diode Modules  
FRG150BA50
FRG25BA60 
FRG25CA120
FDF60BA60
FDF25CA120
FDF25CA100
FRD100BA60 
FRD100CA120
FDS100CA120 
FDS100CA100
FDS100BA60
FRS200AA40
FRS200AA60
FRS200CA100
FRS200CA120
FRS300CA50
FRS400CA120
FRS400DA120
FRS400DA100
FRS150BA50 
FRS400BA50
FRS400BA60
FRS200BA60
FRS300BA50
FRS400EA180
FRS400EA200
DKR200AB60
DKR300AB60
DKR400AB60
BKR400AC10
BKR400AB10
DKA300AA60 
DBA100UA60 
DBA100UA40 
DBA200UA40 
DBA200UA60

semikroninternationalgmbh由fritzmartin博士创建于1951年，是一家国际的半导体器件制造商。赛米控公司总部位于德国纽伦堡，**拥有**过3000名员工，是财政立的家族式企业。
赛米控在**共有37家子公司，在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国分别设有生产基地，**共有8个方案解决中心（分别在：中国，美国，法国，韩国，巴西，南非，印度，澳大利亚），能够为客户提供快速和全面的现场服务。随着2009年子公司sindopower的成立，赛米控还扩展了其分销渠道。sindopower是一家电力电子产品网上商店并向中小企业提供技术咨询的电子商务公司。
产品范围包括芯片、半导体分立器件、igbt、二极管和可控硅模块、定制解决方案和集成电子功率单元系统。赛米控是二极管和可控硅半导体模块市场，拥有**30%的市场份额。
赛米控是一家**性的电力电子组件和系统制造商，产品主要集中在中等至大功率范围（约2kw-10mw）。产品应用范围包括可调速的工业传动装置、自动化技术、焊接设备和电梯。其他应用包括不间断电源、可再生能源（风能和太阳能）以及电动和混合动力交通工具（商务车、运输工具、跑车、客车）。

正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值  ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新原装IXYS二极管模块
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B 
MDA72-14N1B 
MDA72-16N1B
MDD26-08N1B 
MDD26-12N1B
MDD26-14N1B 
MDD26-16N1B 
MDD26-18N1B 
MDD44-08N1B 
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MDD44-16N1B
MDD44-18N1B
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MDD56-12N1B
MDD56-14N1B 
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MDD56-18N1B
MDD72-08N1B 
MDD72-12N1B
MDD72-14N1B 
MDD72-16N1B
MDD72-18N1B
MDD95-08N1B 
MDD95-12N1B 
MDD95-14N1B 
MDD95-16N1B
MDD95-18N1B 
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MDD600-12N1 
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MDD950-12N1W 
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MDO500-12N1
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