SKKD162/16
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产品描述

品牌vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流(不**过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
本公司代理销售的电子产品直接从进货,能够提供不同国别、厂商的设备配件,解决您多处寻找的麻烦和对产品质量的担心等, 在价格上我们有很大的优势,公司备有大量的,是国内库存量多的公司之一,欢迎来电咨询,我们将会给您的服务! 
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本公司长期供应三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、欧派克(EUPEC)、西门康(SEMIKRON)、SIEMENS西门子、西码(WESTCODE)、三社(SANREX) 、ABB公司现代功率器件(IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、单,双向可控硅、平板系列模块、熔断器等。
SKKD162/16
正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值  ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新原装IXYS二极管模块
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B 
MDA72-14N1B 
MDA72-16N1B
MDD26-08N1B 
MDD26-12N1B
MDD26-14N1B 
MDD26-16N1B 
MDD26-18N1B 
MDD44-08N1B 
MDD44-12N1B
MDD44-14N1B 
MDD44-16N1B
MDD44-18N1B
MDD56-08N1B 
MDD56-12N1B
MDD56-14N1B 
MDD56-16N1B 
MDD56-18N1B
MDD72-08N1B 
MDD72-12N1B
MDD72-14N1B 
MDD72-16N1B
MDD72-18N1B
MDD95-08N1B 
MDD95-12N1B 
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MDD95-16N1B
MDD95-18N1B 
MDD95-20N1B
MDD95-22N1B
MDD142-08N1 
MDD142-12N1 
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MDD142-16N1 
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MDD255-12N1
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MDO500-12N1
MDO500-14N1 
MDO500-16N1 
MDO500-18N1
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雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点: 
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片 
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
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PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18 
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18 
PSKD255/14
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PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
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PSTKD82/12*
PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
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PSMD200E/08
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PSMD200E/12
SKKD162/16
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
SDD36N08
SDD36N12
SDD36N14
SDD36N16
SDD36N18
SDD36N08B
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SDD36N14B
SDD36N16B
SDD36N18B
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SDD100N08
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SDD120N18B
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SDD800N18PT
SDD800N08PT
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