VBO68-16NO7 整流桥模块 全新
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产品描述

型号SKD210/16 批号new 产地德国 电压1600 封装国际封装
整流桥的壳温确定情况分析:
整流桥在强迫风冷冷却时壳温的确定由以上两种情况三种不同散热冷却形式的分析与计算,我们可以得出:在整流桥自然冷却时,我们可以直接采用生产厂家所提供的结--环境热阻(Rja),来计算整流桥的结温,从而可以方便地检验我们的设计是否达到功率元器件的温度降额标准;对整流桥采用不带散热器的强迫风冷情况,由于在实际使用中很少采用,在此不予太多的讨论。     如果在应用中的确涉及该种情形,可以借鉴整流桥自然冷却的计算方法;对整流桥采用散热器进行冷却时,我们只能参考厂家给我们提供的结--壳热阻(Rjc),通过测量整流桥的壳温从而推算出其结温,达到检验目的。在此,我们着重讨论该计算壳温测量点的选取及其相关的计算方法,并提出一种在实际应用中可行、在计算中又可靠的测量方法。
VBO68-16NO7
DDB6U84N12R 、DDB6U84N16R 、DDB6U85N12R 、DDB6U85N16R 、DDB6U145N12R 、DDB6U145N16R 、DDB6U205N12R 、DDB6U205N16R 、DDB6U110N14R 、DDB6U100N12R 、DDB6U100N14R 、DDB6U100N16R 、DDB6U144N12R 、DDB6U144N16R 、DDB6U84N12RR 、DDB6U84N16RR 、DDB6U100N12RR 、DDB6U100N16RR 、DDB6U110N14K 、DDB6U95N12K 、DDB6U90N16K 、DDB6U160N12K 、DDB6U145N12R 、DDB6U85N12R 、DDB6U205N12R 、DDB6U100N12R 、DDB6U84N12RR 、DDB6U144N12R 、DDB6U100N12RR 、DDB6U84N16R 、DDB6U145N16R 、DDB6U85N16R 、DDB6U205N16R 、DDB6U100N16R 、DDB6U84N16RR 、DDB6U144N16R 、DDB6U100N16RR 、DDB6U85N12L 、DDB6U85N16L 、DDB6U145N12L 、DDB6U145N16L 、DDB6U205N12L 、DDB6U205N16L
VBO68-16NO7
整流桥的参数选择
隔离式开关电源一般采用由整流管构成的整流桥,亦可直接选用成品整流桥,完成桥式整流。全波桥式整流器简称硅整流桥,它是将四只硅整流管接成桥路形式,再用塑料封装而成的半导体器件。它具有体积小、使用方便、各整流管的参数一致性好等优点,可广泛用于开关电源的整流电路。硅整流桥有4个引出端,其中交流输入端、直流输出端各两个。
硅整流桥的整流电流平均值分0.5~40A等多种规格,反向工作电压有50~1000V等多种规格。小功率硅整流桥可直接焊在印刷板上,大、率硅整流桥则要用螺钉固定,并且需安装合适的散热器。
整流桥的主要参数有反向峰值电压URM(V),正向压降UF(V),平均整流电流Id(A),正向峰值浪涌电流IFSM(A),反向漏电流 IR(霢)。
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压降测试法
压降测试法是利用万用表二极管档位直接测试整流桥内部二极管芯片的方法,读值为压降的参考值或近似值。测试方法与电阻测试法大致类似,也是很常见的一种测量整流桥好坏的方法。
测试方法与步骤为:红笔接整流桥负极,黑笔接整流桥正极,此时测试结果为整个整流桥的压降参考值;如需分别测试每颗芯片的压降值,则方法为黑笔接整流桥正极,红笔分别探测两个交流脚位;红笔接整流桥负极,黑笔分别探测两个交流脚位,此时所测结果为内部立二极管芯片的压降参数值。
测试结果总结:上述测试结果为该整流桥内部二极管芯片压降的参考值,有示数说明该芯片正常,可以判断整流桥通断与好坏情况。如有非一致的情况出现,比如数值为1(无穷大)则说明整流桥中该颗芯片已经损坏。
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