T2101N22TOF SEMIKRON西门康晶闸管
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产品描述

名称晶闸管 封装国际封装 批号new 型号齐全 包装盒装
晶闸管的注意事项:
1、在检查大功率器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使可靠地导通;
2、要准确测量的关断增益,必须有测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据;
逆导晶闸管亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳与阴之间反向并联一只二管,使阳与阴的发射结均呈短路状态。由于这种电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只即可代替晶闸管和续流二管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计;
逆导晶闸管的符号、等效电路,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。
晶闸管损坏原因判断
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制较上。
3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制较附近或就在控制较上。
4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
T2101N22TOF
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T2101N22TOF
晶闸管(SCR)
晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。
晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应较快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪声;效率高,成本低等。因此,特别是在大功率UPS供电系统中,晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。
晶闸管的弱点:静态及动态的过载能力较差,容易受干扰而误导通。
晶闸管从外形类主要有:螺栓形、平板形和平底形。
T2101N22TOF
晶闸管的检测
1、判别各电极:根据普通晶闸管的结构可知,其门较G与阴极K较之间为一个PN结,具有单向导电特性,而阳极A与门较之间有两个反极性串联的PN结。因此,通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值,即能确定三个电极。具体方法是:将万用表黑表笔任接晶闸管某一较,红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ),而另一次阻值为几百欧姆(Ω),则可判定黑表笔接的是门较G。在阻值为几百欧姆的测量中,红表笔接的是阴极K,而在阻值为几千欧姆的那次测量中,红表笔接的是阳极A,若两次测出的阻值均很大,则说明黑表笔接的不是门较G,应用同样方法改测其他电极,直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻,若正、反向电阻均接近无穷大,则两较即为阳极A和阴极K,而另一脚即为门较G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。 螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A,较细的引线端为门较G,较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门较G,平面端为阳极A,另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管,其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A,且多与自带散热片相连。
2、触发能力检测:对于小功率(工作电流为5 A以下)的普通晶闸管,可用万用表R×1档测量。测量时黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,此时表针不动,显示阻值为无穷大(∞)。用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门较短路(见图2),相当于给G较加上正向触发电压,此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异),则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开A较与G较的连接(A、K较上的表笔不动,只将G较的触发电压断掉)。若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动,则说明此晶闸管的触发性能良好。
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