MBR3045CT45

反向性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块：
DD25F120
DD25F160
DD40F120
DD40F160
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DD55F160
DD70F120
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DD200HB160
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DD30GB80
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DWR50A30
DWR70A30
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MDFR250A-L
MDFR150A-M
MDFR250A-M
MDF250A-L
MDF150A-L
MDF150A-M
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DWF100A30
肖特基二极管
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DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
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DG20AA40 
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快速恢复二极管模块 
Fast Recovery Diode Modules  
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DBA100UA60 
DBA100UA40 
DBA200UA40 
DBA200UA60

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
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SDD36N12
SDD36N14
SDD36N16
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SDD800N18PT
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从事电力电子产品设计、制造、销售为一体的高科技企业，生产营销各种规格的晶闸管、整流管、可控硅模块、快恢复二极管模块、整流桥模块、固态继电器等产品。其技术力量雄厚，检测设备，管理体系。产品在国内市场上享有美誉，而且**俄罗斯、韩国、东南亚、中东、东欧、南美等一些国家和地区。
本公司经营的可控硅、晶闸管模块、整流桥、二极管产品具有外形美观、性能稳定、体积小重量轻、功率损耗低、安装方便、使用安全可靠等优点。广泛地应用于电力、石油、化工、机械、纺织、治金、矿山等领域的电气设备的过载及短路保护。
   公司一贯坚持“质量，用户至上，服务，信守合同”的宗旨，凭借着高质量的产品，良好的信誉，的服务，产品**全国近三十多个省、市、自治区。竭诚与国内外商家双赢合作，共同发展，共创辉煌！
优势代理，无任何中间环节德国赛米控电力电子模块；

击穿
外加反向电压**过某一数值时，反向电流会突然，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
西班牙二极管
CATELEC二极管
CDD36N12
CDD36N12B
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