VSKUF200-12HKP
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产品描述

产地德国 名称可控硅模块 封装国际封装 批号new 系列MCC MCD TT
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值,反向电流会急剧,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
VSKUF200-12HKP
SW16-24CXC380 SW06-15CXC300 SW04-15CXC470 SW20-32CXC445
SW16-25CXC565 SW50-56CXC350 SW30-45CXC515  SW30-36CXC595
SW24-30CXC635 SW08-22CXC805 SW02-12CXC935 SW50-60CXC620
SW40-50CXC815 SW36-45CXC920 SW16-25CXC 11C SW30-40CXC1170
SW28-35CXC12C SW08-20CXC 14C SW02-06CXC 19C SW36-45CXC1100
SW30-40CXC 13C SW16-28CXC 16C SW30-34CXC 17C SW02-14CXC 27C
SW40-45CXC 15C SW34-45CXC1870 SW24-35CXC 18C SW20-30CXC 21C
SW12-22CXC 26C
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反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
VSKUF200-12HKP
二极管的正负二个端子。正端A称为阳极,负端K ;称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识:“半导体的一‘半’是一半的‘半’;而二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的),所有二极管就是半导体 ;”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。
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