5STP33L2800平板可控硅

SEMIX101GD128D SKM100GB125DN SKIIP1203GB172 
SEMIX202GB128DS SKM100GB128D SKIIP1803GB172L 
SEMIX353GB176HDS SKM100GB12T4 SKIIP1803GB172X 
SEMIX453GB12E4S SKM100GB12T4G SKIIP2403GB172 
SEMIX453GB12VS SKM100GB176D SKIIP2414GB12E4-4DUW 
SEMIX453GB176HDS SKM145GB066D SKIIP2414GB12E4-4DUL 
SEMIX604GB12E4S SKM145GB176D SKIIP35NAB126V1 
SEMIX604GB12E-S SKM150GAL12T4 SKIIP603GD172X 
SEMIX604GB12T-S SKM150GB063D SK30GH067 
SEMIX604GB12VS SKM150GB12T4G SK35DGDL12T4T 
SEMIX653GAL176H SKM150GB12VG SK35GD126ET 
SEMIX703GAL126H SKM200GB126D SK45GAL063 
SEMIX703GAR126HDS SKM200GB128D SK45GH063 
SEMIX703GB126HDS SKM200GB176D SK50DGDL126T 
SEMIX703GD126HDC SKGB12T4 SK50MLI066 
SKM150GAR12T4 SKM400GB176D SK55GARL065E 
SKM150GB128D SKM600GA176D SK15DGDL12T4ET 
SKM150GB12T4 SKM800GA176D SK25DGDL12T4T 
SKM195GAL063DN SKM400GB12T4 SK25GH063 
SKM200GAL126D SKM50GB12T4 SK10DGDL12T4ET 
SKGAL063D SKIIP37AC12T4V1 SK70GAR063 
SKGAR063D SKIIP38AC12T4V1 SK55DGL126 
SKGARL066T SKIIP513GD172-3DUL SKM75GAL123D 
SKGB12V SKIIP1013GB172-2DL SKM75GAR123D 
SKMLI066TAT SKIIP1513GB172-3DL SKM75GB128D 
SEMIX604GB12T4S SKIIP1813GB123-3DL SKM75GB12T4 
SKM100GAL123D SKIIP3614GB12E4-6DUL SKM75GB176D 
  SEMIX402GAR066HDS

**名称：平板式可控硅的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术：
可控硅又称晶间管，晶间管整流器具有耐压高、容量大、效率高、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点，发展迅猛。在世纪应用中，大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅，其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式，虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热，但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点，其加工要求非常高，且封装时需要经过焊接在内的多道工序，工艺复杂，成本高，封装后良率偏低，返工需破坏性地拆封。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。可控硅从外形类主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。

平板二极管
eupec/Iinfineon英飞凌平板二极管
PROTON普拉动平板二极管
WESTCODE西码平板二极管
PRX平板二极管
DYNEX丹尼克斯平板二极管
POSEICO平板二极管
ABB平板二极管
SEMIKRON赛米控平板二极管
IR/Vishay平板二极管
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
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