型号N2500VC160
封装国际封装
批号new
电压1600
系列N
ABB普通晶闸管 -获准**的硅滑动式结构 -应用于大功率的工业生产和电气传动领域 -很低的同态压降 -选择合适的Qrr和Vt的器件匹配，可串联或并联使用 优点： 应用于大功率的工业生产和电气传动领域 低通态压降选择合适的Qrr和∨T的器件匹配，可串联或并联使用 获准**的硅滑动式结构 工作范围：350~6100A，1600~8500V 可控硅应用领域 ： 无功补偿、励磁、高压软起动、整流器、工业传动设备、高压变频调速直流输电、 充磁机、可控硅整流
电源
、感应加热（电炉）、高电压化学、斩波器等 ABB晶闸管供应型号： 5STP 10D1601 5STP 33L2800 5STP 18F1800 5STP 38Q4200 5STP 07D1800 5STP 28L4200 5STP 18F1801 5STP 34Q5200 5STP 09D1801 5STP 25L5200 5STP 17F2201 5STP 52U5200 5STP 09D2201 5STP 18M6500 5STP 16F2800 5STP 42U6500 5STP 06D2800 5STP 45N2800 5STP 16F2801 5STP29H2201 5STP 08D2801 5STP 38N4200 5STP 12F4200 5STP 24H2800 5STP 04D4200 5STP 34N5200 5STP 08F6500 5STP 24H2801 5STP 04D5200 5STP 26N6500 5STP 08G6500 5STP 18H4200 5STP 03D6500 5STP 12N8500 5STP 34H1800 5STP 17H5200 5STP 03X6500 5STP 50Q1800 5STP 27H1800 5STP 12K6500 5STP 20F1601 5STP 45Q2800 5STP 30H1801 GTO--门较可关断晶闸管 GTO--门较可关断晶闸管优点： 获准**的硅滑动式结构、所有GTO均经过额定电流的关断测试 。 通态和
开关
损耗间佳折衷、具有抗辐射能力。 工作范围：2500~6000V，600~4000A GTO标准型大重复反向电压 -VRRM=17V；大结温 -TVJM=125℃ 缓冲层 ：（1）较低的导通损耗和动态损耗（2） 非常好的快速开通特性 （3）发射较结构：小的通态损耗. (大重复反向电压 -VRRM：17V; 壳到散热器热阻RthCH (K/KW)=3 -3K/kw ) ABB门较可关断晶闸管-GTO供应型号 ： 5SGA 15F2502 5SGA 20H2501 5SGA 25H2501 5SGA 30J2501 5SGA 06D4502 5SGA 20H4502 5SGA 30J4502 5SGA 40L4501 5SGF 30J4502 5SGF 40L4502 ABB整流二极管 整流二极管雪崩型优点： －适合于工频应用 －通态压降低， VF分散性小，非常适合并联使用 瞬态过压自保护 －准许大雪崩功耗 ABB整流二极管供应型号： 5SDA 11D1702 5SDA 10D2303 5SDA 09D2604 5SDA 08D3205 5SDA 07D3806 5SDA 06D5007 5SDA 27F2002 5SDA 24F2303 5SDA 21F3204 5SDA 19F3205 5SDA 16F3806 5SDA 14F5007 ABB普通型整流二极管: 5SDD 11D2800 5SDD 08D5000 5SDD 24F2800 5SDD 20F5000 5SDD 48H3200 5SDD 40H4000 5SDD 38H5000 5SDD 31H6000 5SDD 51L2800 5SDD 33L5500 5SDD 60Q2800 5SDD 60N2800 5SDD 50N5500 5SDD 54N4000 ABB焊接二极管 ABB焊接二极管优点： 适合中频焊接和高压应用、较低的通态损耗和热阻损耗。 通态压降低，VF分散性小，非常适合并联使用。 应用领域： 为中频大电流电焊设备而设计； 适用用中频焊接和高压应用，由于较低的通态损耗和热阻损耗，因此具有非常高的可靠性 ABB焊接二极管供应型号： 5SDD71X0200 5SDD71B0200 5SDD71X0400 5SDD0120C0200 5SDD0120C0400 5SDD92Z0400 5SDD0135Z0400 ABB快恢复二极管 ABB快恢复二极管优点： 佳的快速软恢复特性 反向恢复电荷少 关断时可承受高的di/dt耐量 适合与GTO和IGCT配套使用、具有抗辐射能力。 ABB GTO续流二极管型号： 5SDF 05D2501 5SDF 03D4501 5SDF 07H4501 5SDF 02D6002 (GTO续流二极管 大结温TVJM: 125 ℃) ABB吸收二极管型号： 5SDF 03D4502 5SDF 05F4502 5SDF 10H4502 5SDF 10H4503 5SDF 10H4520 5SDF 16L4503 5SDF 02D6004 5SDF 04F6004 (吸收二极管 大结温TVJM: 125 ℃)
按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:
额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。
通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。
综上所述，小结如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门较电压。
(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门较伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
1、日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。
2、德国西门]康SEMIKRON: IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3、德国英飞凌Infineon: IGBT模块; PIM模块;可控硅模块。
4、德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模块; IPM模块; PIM模块。
6、日本富士FUJI: IGBT模块; IPM模块;三相整流桥模块。
7、美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8、日本东芝TOSHIBA: IGBT模块;整流桥模块; GTO门较关断可控硅。
9、IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。
10、英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。
11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
12、英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO ]较可关断可控硅
13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门较可关断可控硅。
14、快速熔断器:美国BUSSMANN。
测量方法
鉴别可控硅三个较的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个较之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制较之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制较正反向都不通） 。
控制较与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制较二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制较反向电阻比较小，并不能说明控制较特性不好。另外，在测量控制较正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制较反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制较短路，或控制较与阴极反向短路，或控制较与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
1、日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。
2、德国西门]康SEMIKRON: IGBT模块;可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二极管。
3、德国英飞凌Infineon: IGBT模块; PIM模块;可控硅模块。
4、德国艾赛斯IXYS:快速恢复二极管模块;可控硅模块。
5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模块; IPM模块; PIM模块。
6、日本富士FUJI: IGBT模块; IPM模块;三相整流桥模块。
7、美国威士VISHAY:螺栓二极管;螺栓可控硅。
8、日本东芝TOSHIBA: IGBT模块;整流桥模块; GTO门较关断可控硅。
9、IGBT无感吸收电容:美国CDE;加拿大EACO:德国EPCOS。
10、英国西码WESTCODE:平板型可控硅;平板型二极管;螺栓型可控硅、螺栓型二极管。
11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二极管。
12、英国达尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二极管、GTO ]较可关断可控硅
13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二极管、GTO门较可关断可控硅。
14、快速熔断器:美国BUSSMANN。
关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。
公司长期备有，产品系列齐全，技术力量雄厚，售后服务到位，供应稳定，在国内外机电行业中建立了良好的信誉：产品广泛应用于开关电源、工控设备、变频器、马达传达、电焊机、电梯、空调、风力发电、不间断电源、点动力机车等各方领域。
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