德阳平板可控硅厂家

在工业应用中的电桥电路中的IGBT模块的驱动程序
直流母线电压高达1200V

欧派克(EUPEC)可控硅，可控硅模块，混合模块
●T系列相控可控硅（Phase Control Thyristors）—环氧平板型
T348N02-06TOF  T568N02-06TOF   T828N02-06TOF   T1078N02-06TOF  
T1258N02-06TOF   T3709N02-06TOF   T178N06-18TOF   T218N06-18TOF  
T298N06-16TOF   T358N06-18TOF    T378N12-16TOF    T388N06-18TOF  
T508N12-18TOF   T509N12-18TOF    T588N06-18TOF   T589N06-18TOF 
T618N06-14TOF T619N06-14TOF T718N06-16TOF T878N12-18TOF
T879N12-18TOF T1049N12-18TOF T1189N12-18TOF T1509N12-18TOF
T1989N12-18TOF T3159N12-18TOF T1500N12-18TOF

(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:
(1〕受正向阳极电压;
(2)受正向门较电压。
(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门较伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
主要参数编辑电流⒈ 额定通态电流(IT)即稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM)，俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。⒊ 控制较触发电流(IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。

●DT系列二极管+可控硅混合模块( Diode  SCR Phase Control )
DT210N12-18KOF  DT250N12-18KOF  DT285N12-16KOF  DT310N20-26KOF 
DT425N10-18KOF  DT500N12-18KOF
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