鞍山二极管出租 SDD320N16BT
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产品描述

品牌vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流(不**过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
本公司代理销售的电子产品直接从进货,能够提供不同国别、厂商的设备配件,解决您多处寻找的麻烦和对产品质量的担心等, 在价格上我们有很大的优势,公司备有大量的,是国内库存量多的公司之一,欢迎来电咨询,我们将会给您的服务! 
产品详细信息,欢迎来电查询!
本公司长期供应三菱(MITSUBISHI)、富士(FUJI)、欧派克(EUPEC)、西门康(SEMIKRON)、SIEMENS西门子、西码(WESTCODE)、三社(SANREX) 、ABB公司现代功率器件(IGBT、GTR、IPM、PIM、GTO、单,双向可控硅、平板系列模块、熔断器等。
鞍山二极管出租
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
标准二极管模块
特点: 
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片 
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18 
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
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PSKD255/14
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PSKD310/08
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PSKD310/14
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PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
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PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
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PSMD200E/12
鞍山二极管出租
vishay二极管
VSKC166/04PBF
VSKC166/08PBF
VSKC166/12PBF
VSKC166/16PBF
VSKC196/04PBF
VSKC196/08PBF
VSKC196/12PBF
VSKC236/04PBF
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VSKC236/16PBF
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VSKC320-20
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VSKC91/10P
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VSKC91/14P
VSKC91/16P
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VSKD166/14PBF
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VSKD270-04
VSKD270-08
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VSKD56/16P
VSKD600-08
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VSKD91/10P
VSKD91/12P
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VSKD91/16P
鞍山二极管出租
反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
POWEREX二极管
CD410830
CD410860 
CD410899B 
CD410899C 
CD411099B 
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CD632215C
CD632415C
CD632515C
CM531613 
CM531620 
CS410899B 
CS411299B 
CS411499B 
CS411699B 
CS411899B 
CS610816B 
CS610816C 
CS611016C 
CS611216B 
CS611216C
CS611416B
CS611416C
CS611616B
CS611616C
CS611816B
CS611816C
CS612016C 
CS612216C 
CS612416C 
CS612516C
CS612616C
CS612816C
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CS613216C
CS613416C
CSD3080H
CSD3120H
CSD3160H
CT220802
CT230802
LD410860
LD411260
LD411460
LD411660
LD411860
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LD470850
LD471250
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http://holny.cn.b2b168.com

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