N0416SC040
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产品描述

品牌Vishay 型号ST330S04POV 电压400 封装国际封装 批号new
可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变成交流电的逆变;将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样,有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。 目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。
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怎么用万用表判断可控硅的好坏?
首先我们看看可控硅的结构及工作原理
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制较G决定。在控制较G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。
怎么用万用表判断可控硅的好坏
1、可控硅结构
可控硅具有三个PN结(J1、J2、J3),构成了四层P1N1P2N2结构,如下图所示。可控硅对外有三个电极,由层P型半导体引出的电极称为阳极A,由*三层P型半导体引出的电极称为控制较G,由*四层N型半导体引出的电极称为阴极K,其中控制较G的存在使得可控硅的工作特性不同于二极管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理时,我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成。
当阳极A端加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态,此时由控制较G端输入正向触发信号,使得BG2管有基较电流ib2通过,经过BG2管的放大后,其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基较,故有ib1=ic2,电流又经BG1管的放大作用后,得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基较,使得BG2的基较电流ib2增大,从而形成正向反馈使电流剧增,进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈,所以可控硅一旦导通后无法关断,即使控制较G端的电流消失,可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
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可控硅的好坏如何判断?
方法一:测量较间电阻法
将万用表置于皮R×1k档,如果测得T2-T1、T2-G之间的正反向电阻接近∞,而万用表置于R×10档测得T1-G之间的正反向电阻在几十欧姆 时,就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之:
1、若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用;
2、如果测得T1-G之间的正反向电阻很大(接近∞)时,说明控制较G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏,也不能使用。
方法二:检查触发导通能力A
万用表置于R×10档:①如图,1(a)所示,用黑表笔接主电极T2,红表笔接T1,即给T2加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置,说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的,改黑表笔接主电极T1,红表笔接T2,即给T1加正向电压,再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开,如果结果同上,也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的,即在两个方向(在不同极性的触发电压证)均能触发导通。
方法三:检查触发导通能力B
取一只10uF左右的电解电容器,将万用表置于R×10k档(V电压),对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线,即利用电容器上所充的电压作为触发信号,然后再将万用表置于R×10档,照图2(b)连接好后进行测试。测试时,电容C的极性可任意连接,同样是碰触一下后离开,观察表头指针偏转情况,如果测试结果与“方法二’相同,就证明双向可控硅是好的。
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高,使触发信号增大,更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。
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可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制较(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时,从符号图上可以看出PN结处于反向,具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时(若控制较不接任何电压),在一定的电压范围内,器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时,器件迅速转变到低阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时,器件处于关闭状态。此时如果在控制较上加有适当大小的正电压(对阴极),则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通,控制较便失去其控制作用。就是说,导通后撤去栅较电压可控硅仍导通,只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时,器件才可恢复到关闭状态。

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