MDD95-08N1B二极管 DBA200UA40
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产品描述

品牌vishay 批号new 封装国际封装 系列VSKC 型号VSKC250-12
从事电力电子产品设计、制造、销售为一体的高科技企业,专业生产营销各种规格的晶闸管、整流管、可控硅模块、快恢复二极管模块、整流桥模块、固态继电器等产品。其技术力量雄厚,检测设备先进,管理体系**。产品在国内市场上享有美誉,而且**俄罗斯、韩国、东南亚、中东、东欧、南美等一些国家和地区。
本公司经营的可控硅、晶闸管模块、整流桥、二极管产品具有外形美观、性能稳定、体积小重量轻、功率损耗低、安装方便、使用安全可靠等优点。广泛地应用于电力、石油、化工、机械、纺织、治金、矿山等领域的电气设备的过载及短路保护。
公司一贯坚持“质量,用户至上,优质服务,信守合同”的宗旨,凭借着高质量的产品,良好的信誉,优质的服务,产品**全国近三十多个省、市、自治区。竭诚与国内外商家双赢合作,共同发展,共创辉煌!
优势代理,无任何中间环节德国赛米控电力电子模块;
MDD95-08N1B二极管
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
PROTON二极管
二极管模块
MD3-660-18-A2-N
MD3-580-26-A2-N
MD3-470-44-A2-N
MD3-320-65-A2-N
MD3-515-36-A2-N
MD3-380-52-A2-N
MD3-320-18-C-N
MD3-250-26-C-N
MD3-200-34-C-N
MD3-1000-28-D-N
MD3-800-44-D-N
MD1-950-44-E-N
MD1-1125-28-E-N
MD1-1280-22-E-N
MD3-245-18-F-N
MD3-215-22-F-N
MD3-175-28-F-N
MD3-155-36-F-N
MDD95-08N1B二极管
反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
POWEREX二极管
CD410830
CD410860
CD410899B
CD410899C
CD411099B
CD411099C
CD411230
CD411260
CD411299B
CD411299C
CD411499B
CD411499C
CD411630
CD411660
CD411699B
CD411699C
CD411899C
CD412099C
CD412299C
CD412499C
CD412599C
CD420840B
CD420860B
CD420890B
CD420890C
CD421090B
CD421090C
CD421240B
CD421260B
CD421290B
CD421290C
CD421440B
CD421460B
CD421490B
CD421490C
CD421640B
CD421660B
CD421690B
CD421690C
CD421840B
CD421860B
CD421890B
CD421890C
CD430840B
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CD431090B
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CD431240B
CD431260B
CD431290B
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CD431660B
CD431690B
CD431690C
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CD431860B
CD431890C
CD470890B
CD471290B
CD471490B
CD471690B
CD471890B
CD510825
CD511225
CD511625
CD610816B
CD610816C
CD611016B
CD611016C
CD611216B
CD611216C
CD611416B
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CD611616B
CD611616C
CD611816B
CD611816C
CD612016B
CD612016C
CD612216B
CD612216C
CD612416C
CD612516C
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CD612816C
CD613016C
CD613216C
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CD613616C
CD620815B
CD620815C
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CD621015C
CD621215B
CD621215C
CD621415B
CD621415C
CD621615B
CD621615C
CD621815B
CD621815C
CD622015C
CD622215C
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CD631215B
CD631215C
CD631415B
CD631415C
CD631615B
CD631615C
CD631815B
CD631815C
CD632015C
CD632215C
CD632415C
CD632515C
CM531613
CM531620
CS410899B
CS411299B
CS411499B
CS411699B
CS411899B
CS610816B
CS610816C
CS611016C
CS611216B
CS611216C
CS611416B
CS611416C
CS611616B
CS611616C
CS611816B
CS611816C
CS612016C
CS612216C
CS612416C
CS612516C
CS612616C
CS612816C
CS613016C
CS613216C
CS613416C
CSD3080H
CSD3120H
CSD3160H
CT220802
CT230802
LD410860
LD411260
LD411460
LD411660
LD411860
LD412060
LD412260
LD412460
LD412660
LD420850
LD421250
LD421450
LD421650
LD421843
LD422043
LD422243
LD430850
LD431250
LD431450
LD431650
LD431843
LD431850
LD432043
LD432243
LD470850
LD471250
LD471450
LD471650
MDD95-08N1B二极管
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结*性损坏。
标准二极管模块
特点:
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证,E 148688
应用:
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
PSKD310/16
PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
PSTKD82/10*
PSTKD82/12*
PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
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PSND75E/10
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PSND100E/08
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PSND150E/06
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