南京英飞凌可控硅

关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT
在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。
ABB可控硅 5STP 系列普通晶闸管其规格型号近百种，可满足大功率的工业生产，电气传动领域的需要，尤其在电力系统中， 这些元件广泛应用于高压直流输电（HVDC）、功率励磁柜,整流柜,充电机 ,同步电动机励磁整流柜,交流变频电机,电磁除铁器,直流电源,晶闸管投切电容,可控串联补偿装置（TCSC，Thyristor Controlled Series Compensation）,静止无功补偿器(SVC),晶闸管控制电抗器(TCR),晶闸管投切电容器组,高压晶闸管投切电容器组, ,电机,动力制动电源柜 ,无功补偿,电气传动 ,交流输电、,高压变频 、励磁 ,高压软启动、电解直流电源、PWM、矿井提升机、斩波 、谐波抑制装置,绞车电控,矿用皮带机,电镀电源, 变频电源等各种整流、逆变和变频领域.等场合
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按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:
额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。
通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。
综上所述，小结如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门较电压。
(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门较伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:
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电流
⒈ 额定通态电流（IT）即稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制较触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
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