优质二极管厂 SR100C-200

雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结*性损坏。
标准二极管模块
特点：
*JEDEC TO-240 AA 国际标准封装
*直接铜敷 Al2O3 陶瓷底板
*平面钝化芯片
*隔离电压3600伏
*阻断电压高达1800伏
*低正向压降
*适用于PCB焊接的引线端子
*符合 UL认证，E 148688
应用：
*直流电流设备
*脉宽逆变器的输入整流器
*脉宽逆变器的直流电源
*直流电机接地电源
*直流电源电池
标准二极管模块
PSKD26/08
PSKD26/12
PSKD26/14
PSKD26/16
PSKD26/18
PSKD44/08
PSKD44/12
PSKD44/14
PSKD44/16
PSKD44/18
PSKD56/08
PSKD56/12
PSKD56/14
PSKD56/16
PSKD56/18
PSKD72/08
PSKD72/12
PSKD72/14
PSKD72/16
PSKD72/18
PSKD95/08
PSKD95/12
PSKD95/14
PSKD95/16
PSKD95/18
PSKD142/08
PSKD142/12
PSKD142/14
PSKD142/16
PSKD142/18
PSKD172/08
PSKD172/12
PSKD172/14
PSKD172/16
PSKD172/18
PSKD220/08
PSKD220/12
PSKD220/14
PSKD220/16
PSKD250/08
PSKD250/12
PSKD250/14
PSKD250/16
PSKD250/18
PSKD255/14
PSKD255/16
PSKD255/18
PSKD310/08
PSKD310/12
PSKD310/14
PSKD310/16
PSKD310/18
PSKD312/12
PSKD312/14
PSKD312/16
PSKD312/18
PSKD312/20
PSKD312/22
PSTKD82/06*
PSTKD82/08*
PSTKD82/10*
PSTKD82/12*
PSTKD82/14*
PSTKD82/16*
PSTKD82/18*
PSND75E/02
PSND75E/04
PSND75E/06
PSND75E/08
PSND75E/10
PSND75E/12
PSND100E/02
PSND100E/04
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PSND100E/08
PSND100E/10
PSND100E/12
PSND150E/02
PSND150E/04
PSND150E/06
PSND150E/08
PSND150E/10
PSND150E/12
PSND200E/02
PSND200E/04
PSND200E/06
PSND200E/08
PSND200E/10
PSND200E/12
PSMD75E/02
PSMD75E/04
PSMD75E/06
PSMD75E/08
PSMD75E/10
PSMD75E/12
PSMD100E/02
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PSMD100E/12
PSMD150E/02
PSMD150E/04
PSMD150E/06
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PSMD200E/02
PSMD200E/04
PSMD200E/06
PSMD200E/08
PSMD200E/10
PSMD200E/12

击穿
外加反向电压**过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被*破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
西班牙二极管
CATELEC二极管
CDD36N12
CDD36N12B
CDD36N16
CDD36N16B
CDD60N12
CDD60N12B
CDD60N16
CDD60N16B
CDD70N12
CDD70N12B
CDD70N16
CDD70N16B
CDD100N12
CDD100N12B
CDD100N16
CDD100N16B
CDD120N12
CDD120N12B
CDD120N16
CDD120N16B
CDD165N12
CDD165N12B
CDD165N16
CDD165N16B
CDD165N12PT
CDD165N14PT
CDD165N16PT
CDD190N12
CDD190N12B
CDD190N16
CDD190N16B
CDD253N12
CDD253N14
CDD253N16
CDD253N12B
CDD253N14B
CDD253N16B
CDD253N12PT
CDD253N14PT
CDD253N16PT
CDD270N12
CDD270N12B
CDD270N16
CDD270N16B
CDD290N12
CDD290N12B
CDD290N16
CDD290N16B
CDD310N12
CDD310N12B
CDD310N16
CDD310N16B
CDD320N12
CDD320N14
CDD320N16
CDD320N12B
CDD320N14B
CDD320N16B
CDD600N16PT

正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压**过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
供应全新原装IXYS二极管模块
MDA72-08N1B
MDA72-12N1B
MDA72-14N1B
MDA72-16N1B
MDD26-08N1B
MDD26-12N1B
MDD26-14N1B
MDD26-16N1B
MDD26-18N1B
MDD44-08N1B
MDD44-12N1B
MDD44-14N1B
MDD44-16N1B
MDD44-18N1B
MDD56-08N1B
MDD56-12N1B
MDD56-14N1B
MDD56-16N1B
MDD56-18N1B
MDD72-08N1B
MDD72-12N1B
MDD72-14N1B
MDD72-16N1B
MDD72-18N1B
MDD95-08N1B
MDD95-12N1B
MDD95-14N1B
MDD95-16N1B
MDD95-18N1B
MDD95-20N1B
MDD95-22N1B
MDD142-08N1
MDD142-12N1
MDD142-14N1
MDD142-16N1
MDD142-18N1
MDD172-08N1
MDD172-12N1
MDD172-14N1
MDD172-16N1
MDD172-18N1
MDD220-08N1
MDD220-12N1
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MDD250-08N1
MDD250-12N1
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MDD250-16N1
MDD255-12N1
MDD255-14N1
MDD255-16N1
MDD255-18N1
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MDD255-22N1
MDD310-08N1
MDD310-12N1
MDD310-14N1
MDD310-16N1
MDD310-18N1
MDD310-20N1
MDD310-22N1
MDD312-12N1
MDD312-14N1
MDD312-16N1
MDD312-18N1
MDD312-20N1
MDD312-22N1
MDD600-12N1
MDD600-16N1
MDD600-18N1
MDD600-22N1
MDD950-12N1W
MDD950-16N1W
MDD950-18N1W
MDD950-22N1W
MDO500-12N1
MDO500-14N1
MDO500-16N1
MDO500-18N1

反向性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块：
DD25F120
DD25F160
DD40F120
DD40F160
DD55F120
DD55F160
DD70F120
DD70F160
DD90F120
DD90F160
DD110F120
DD110F160
DD130F120
DD130F160
DD160F120
DD100HB120
DD100HB160
DD200HB120
DD200HB160
DD250HB120
DD250HB160
DD30GB40
DD30GB80
DD60KB160
DD60KB120
DD60HB160
DD60HB120
DD60KB80
DD60GB80
DD60GB40
DD100KB160
DD100KB120
DD100KB80
DD100KB40
DD100GB80
DD100GB40
KD30GB40
KD30GB80
KD60GB40
KD60GB80
KD100GB40
KD100GB80
KD30HB120
KD30HB160
KD60HB120
KD60HB160
KD100HB120
KD100HB160
DWR50A30
DWR70A30
MDFR150A-L
MDFR250A-L
MDFR150A-M
MDFR250A-M
MDF250A-L
MDF150A-L
MDF150A-M
DD30HB160
DD30HB120
DD300KB80
DD300KB160
DD300KB40
DD250GB40
DD300KB120
DD240KB120
DD240KB40
DD250GB80
DD240KB80
DD240KB160
DD200KB80
DD200KB160
DD200KB40
DD200GB40
DD200KB120
DD200GB80
DD160KB40
DD160KB120
DD160KB160
DD160KB80
KF100HB120
KF100HB160
MDF150A40
MDF150A50
MDF200A40
MDF200A30
MDF250A30
MDF200A50
MDF250A40
MDF250A50
MDR250A40L
MDR100A30
MDR100A50
MDR100A40
MDR150A40
MDR150A30
MDR150A50
MDR200A30
MDR200A40
MDR200A50
MDR250A30
MDR250A40
MDR250A50
DWR40A40
DWR50A40
DWR70A40
DWR70A30
DWR50A30
DWR40A30
DWR100A40
DWR100A30
DWF70A30
DWF70BB30
DWF50A40
DWF40A40
DWF70BB40
DWF70A40
DWF50A30
DWF40A30
SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
DSR200AA60
DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
DG20AA80
DG20AA40
DG20AA160
快速恢复二极管模块
Fast Recovery Diode Modules
FRG150BA50
FRG25BA60
FRG25CA120
FDF60BA60
FDF25CA120
FDF25CA100
FRD100BA60
FRD100CA120
FDS100CA120
FDS100CA100
FDS100BA60
FRS200AA40
FRS200AA60
FRS200CA100
FRS200CA120
FRS300CA50
FRS400CA120
FRS400DA120
FRS400DA100
FRS150BA50
FRS400BA50
FRS400BA60
FRS200BA60
FRS300BA50
FRS400EA180
FRS400EA200
DKR200AB60
DKR300AB60
DKR400AB60
BKR400AC10
BKR400AB10
DKA300AA60
DBA100UA60
DBA100UA40
DBA200UA40
DBA200UA60

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