SCF1800AD160

栅较上的噪声电平
在有电噪声的环境中，如果栅较上的噪声电压**过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅较外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。
可控硅
IXYS艾赛斯可控硅
SanRex三社可控硅
SEMIKRON赛米控可控硅
CATELEC西班牙可控硅
sirectifier可控硅
IR/VISHAY可控硅
POWERSEX可控硅
POWERSEM可控硅
三菱可控硅
eupec/Iinfineon英飞凌可控硅
ABB可控硅
PROTON普拉动可控硅
POSEICO可控硅
英达可控硅
Siemens西门子可控硅

T123-500-8(01-08) T133-630-8(01-08) T143-1250-8(01-08) T153-2000-8（01-08） T133-500-10 T143-1000-10 T173-3200-10 T373-3200-10 T123-400-10 T233-500-16(10-16) T193-5000-18(10-18) T123-320-18(10-18) T143-800-18(10-18) T173-2500-18(10-18) T243-800-18(10-18) T253-1250-18(10-18) T343-800-18(10-18) T353-1600-18(10-18) T373-2500-18(10-18) T133-400-24(20-24) T143-400-24(20-24) T253-1390-24(20-24) T253-800-24(20-24) T333-400-24(20-24) T193-4000-28(20-28) T133-320-28(20-28) T173-2000-28(20-28)T243-500-28(20-28) T333-320-28(20-28) T343-630-28(20-28) T353-1000-28(20-28) T373-2000-28(20-28) T123-160-36(30-36) T193-3200-36(30-36) T433-250-36(30-36) T443-500-36(30-36) T173-1600-36(30-36) T353-800-36(30-36) T373-1600-36(30-36) T433-250-36(30-36) T453-800-36(30-36) T193-2500-44(38-44) T243-400-44(38-44) T273-1250-44(38-44) T343-400-44(38-44) T373-1250-44(38-44) T553-800-44(38-44) T933-160-44(38-44) T933-250-44(38-44) T193-2300-52(46-52) T193-2000-60(46-60) T343-250-65(46-65) T543-250-65(46-65) T253-500-65(46-65) T853-500-65(46-65) Т473-1250-65(46-65) Т673-1250-65(46-65)

可控硅特征
芯片与底板电气绝缘 
2500V交流电压
国际标准封装
全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
350V以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块，既可选用风冷，也可选用水冷。
安装简单，使用维修方便
体积小，重量轻
真空+氢气保护焊接技术 
典型应用
交直流电机控制
各种整流电源
工业加热控制
调光
无触点开关
电机软启动
静止无功补偿
电焊机
变频器
UPS电源
电池充放电

可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类；
从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。
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