系列IGBT系列
品牌infineon英飞凌
封装国际封装
批号new
型号齐全
特价销售各种可控硅、二管等模块、电容、电位器、熔断器等系列电力电子产品。
POWEREX系列电力电子元器件；
QRD1220T30 QRD1220T30 CM600HA24H KD221K75 KD224575 KD324512 KS221K10 KS24540 KS524503 KS621220A7 KS621240 KS621K60 QRD1210T30 CE420860 A190RPB A190RD A170PB A170RN A170RM A180PB A190RM A170RPD A180PM A190RP A170RD A190PB A170RP A190RN A180RPD A190PD A180RP A190RPM A180RD A170RPM A170B A180RPB A190B A596PB A180D A190RPD A190PM A180RM A190D A170RB A170RPB A190RB C184D ND430625 ND471025 P1Z7AAR700W QIQ0645001 QRS1240T30 QRC1415T30 QIQ0645002 R7011203XXUA R6001825XXYA R4100840 R6220255ESOO R5110410WA R4040470 RA200648XX R5101210 R6011630XXYA R3100912 R6030422PSYA R7012003XXUA R7220406HSOO RA204020XX R7011205XXUA R6100830 R7202606XXOO R4110140 R7000105XXUA R4100825 R5011215XXWA R7220405ESOO RA201236XX R4140170 R6201240XXOO R7S00208XX R5101010WA R6200630XXOO RA203425XX R5100610WG R4110540 R5110515 R6201640XX00 R5031418FSWA RA202220XX R5021613LSWA R7003503XXUA R6202440XX00 R9G20412CSOO R3100112 R7202406XXOO R6011030XXYA R4110025 R7000603XXUA R6201440XX00 R7222207CSOO R6010825XXYA R7S01608XX R6000425XXYA R5100410WG R7S00816XX R6001625XXYA R4150360 R7002603XXUA R7222407CSOO R5110210XXWA R7000204XXUA R7203506XX00 R5100215WA R6110625 RBK82840XX R5100410 R7S02012XX R7002003XXUA R7220205ESOO R9G21212CSOO R7004403XXUA R9G20615ASOO R7202206XXOO R5100210 RBK83240XX R3100012 R4040160 R4150870 R6001030XXYA R4101025 R6021025HSYA R6110820 R9G03812XX R7000605XXUA R5100210WA R9G23512BSOO R7200606XXOO R5010810XXWA R7002803XXUA R5030618FSWA R7011803XXUA R6110620XXYZ R6011820XXYA R5021013LSWA R5001015XXWA R7012203XXUA R7S21610ESOO R7S20810ESOO R6030835ESYA R5110610WA R6202430XX00 R5020818FSWA R7000104XXUA R6011220XXYA R6100120 R7012805XXUA R7013503XXUA R5100515 R5031613FSWA R7014203XXUA R9G21412CSOO R6111025XXYZ R6000230XXYA R6202430XXOO R6010430XXYA R6202030XX00 R6101025XXYZ
动态特性
动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。
IGBT 的开关特性是指漏较电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值较低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示：：
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏较电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
IGBT的触发和关断要求给其栅较和基较之间加上正向电压和负向电压，栅较电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅较电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅较- 发射较阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
IGBT在关断过程中，漏较电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏较电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏较电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏较电流的关断时间
供应ABB平板可控硅,晶闸管
5STP系列相控可控硅(Phase Control Thyristors)
5STP 28L4200 5STP 16F2600 5STP 21F1200 5STP 12F4200
5STP 38N4200 5STP 18H3600
5SDD系列焊接用二极管,整流管(Welding Diodes)
5SDD 71B0200 5SDD 71X0200 5SDD 71X0400
5SGA系列可关断可控硅(GTO)
5SDF系列快恢复二极管(Fast-Recovery Diodes)
方法
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双较器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
导通
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双较器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅较下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了*二个电荷流。后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 一个空穴电流(双较)。
关断
当在栅较施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。
http://holny.cn.b2b168.com
