品牌Vishay
型号ST330S04POV
电压400
封装国际封装
批号new
可控硅的好坏如何判断？
方法一：测量较间电阻法
将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆 时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之：
1、若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；
2、如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制较G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。
方法二：检查触发导通能力A
万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。
方法三：检查触发导通能力B
取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就双向可控硅是好的。
应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号，更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。
可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制较(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时(若控制较不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制较上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通，控制较便失去其控制作用。就是说，导通后撤去栅较电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
单向可控硅和双向可控硅
可控硅分为单向可控硅和双向可控硅
单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制较(G)
双向可控硅在测试中任何两较间的正反向电阻都较小。
双向可控硅的测量
双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T1较，其中一只单向可控硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2较，剩下则为控制较(G)
单、双向可控硅的判别：先任测两个较，若正、反测指针均不动(R×1挡)，对于单向可控硅可能是A、K或G、A较也可能是T2、T1或T2、G较(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅，且红笔所接为K较，黑笔接的为G较，剩下即为A较。
若正、反向测量，指示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G较，黑笔所接为T1较，余下是T2较。
晶闸管模块就是将晶闸管主电路与移相触发电路以及具有控制功能的电路封装在同一外壳内的新型模块。该模块实际上已是一个准电力电子装置，不论在体积、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面与传统装置却有很大优势，安装、使用特别方便。晶闸管模块的应用范围主要包括：
较为完整的晶闸管模块一般由电力晶闸管、移相触发器、软件控制的单片机、电流、电压、温度传感器以及操作键盘、LED或LCD显示等部分组成。主要应用于固态接触器、继电器、工业电热控温、各种半各体设备精密控温、中、高频热处理电源、电焊设备(整流焊机、二次整流焊机、逆变焊机)激光电源、励磁电源、电镀、电解电源、机械电子设备电源、城市无轨、电动牵引、港口轮船起货机、风机、水泵、轨机、龙门刨、大吊车驱动、频钢水、搅拌电源、造纸、纺织。城市供水、污水处理等，可以说在配电系统内的电气控制晶闸管模块都有作为。
体积小，功能齐全，联线简单，控制方便，性能稳定可靠是晶闸管模块的特点，而容量，扩大功能，降低成本，系列化是晶闸管模块今后发展趋势。
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