成都晶闸管 普拉动PROTON晶闸管
  • 成都晶闸管 普拉动PROTON晶闸管
  • 成都晶闸管 普拉动PROTON晶闸管
  • 成都晶闸管 普拉动PROTON晶闸管

产品描述

名称晶闸管 封装国际封装 批号new 型号齐全 包装盒装
晶闸管也像半导体二管那样具有单向导电性,但它的导通时间是可控的,主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。就是一个用在电路里面的开关,可以经受很大的电压和电流。上千安培和上千伏特。晶闸管的使用优点:体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。
晶闸管的伏安特性
晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于*三象限。
(1) 反向特性
当门较G开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,如图2的特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后,晶闸管会发生性反向击穿。
(2) 正向特性
当门较G开路,阳极A加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿后,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍有增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,如图2的BC段。
(3) 触发导通
在门较G上加入正向电压时(如图5所示),因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图2)的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
成都晶闸管
晶闸管的使用注意事项
选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不**过相应电流下的允许值。
2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时,应立即更换。
3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层**硅油或硅脂,以帮于良好的散热。
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
6、要防止可控硅控制较的正向过载和反向击穿。
成都晶闸管
晶闸管的检测
1、判别各电极:根据普通晶闸管的结构可知,其门较G与阴极K较之间为一个PN结,具有单向导电特性,而阳极A与门较之间有两个反极性串联的PN结。因此,通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值,即能确定三个电极。具体方法是:将万用表黑表笔任接晶闸管某一较,红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ),而另一次阻值为几百欧姆(Ω),则可判定黑表笔接的是门较G。在阻值为几百欧姆的测量中,红表笔接的是阴极K,而在阻值为几千欧姆的那次测量中,红表笔接的是阳极A,若两次测出的阻值均很大,则说明黑表笔接的不是门较G,应用同样方法改测其他电极,直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻,若正、反向电阻均接近无穷大,则两较即为阳极A和阴极K,而另一脚即为门较G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。 螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A,较细的引线端为门较G,较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门较G,平面端为阳极A,另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管,其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A,且多与自带散热片相连。
2、触发能力检测:对于小功率(工作电流为5 A以下)的普通晶闸管,可用万用表R×1档测量。测量时黑表笔接阳极A,红表笔接阴极K,此时表针不动,显示阻值为无穷大(∞)。用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门较短路(见图2),相当于给G较加上正向触发电压,此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异),则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开A较与G较的连接(A、K较上的表笔不动,只将G较的触发电压断掉)。若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动,则说明此晶闸管的触发性能良好。
成都晶闸管
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容
可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证
 注:1、一些商品价格标价为 1.00元并非真实价格,若要相关真实价格可联系QQ或者来电咨询!
     2、本店可累积消费,当您在3个月内购买一种产品达到一定的量,多出来的差价我们会给您按数量来判断补差价给予买方。(差价仅在期限里有效哦,用的好别忘了来多买,莫错失哦!)
3 、赛米控(西门康)SEMIKRON 英飞凌 (Infineon)可控硅 IGBT 系列产品,本公司可直接向德国订货,货源稳 交期快 量大更优惠!保证每颗型号都为原装新件。
欢迎新老客户咨询!
 所报价格均含税含运费价格!如果不明白欢迎来电咨询,谢谢!
原装、长期、三包承若
期待与贵公司的合作! 
愿我公司能给贵公司带来更多的帮助!
http://holny.cn.b2b168.com

产品推荐