infineon英飞凌T160N12TOF螺栓可控硅
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产品描述

品牌Vishay 型号ST330S04POV 电压400 封装国际封装 批号new
单向可控硅和双向可控硅
可控硅分为单向可控硅和双向可控硅
单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制较(G)
双向可控硅在测试中任何两较间的正反向电阻都较小。
双向可控硅的测量
双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T1较,其中一只单向可控硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2较,剩下则为控制较(G)
单、双向可控硅的判别:先任测两个较,若正、反测指针均不动(R×1挡),对于单向可控硅可能是A、K或G、A较也可能是T2、T1或T2、G较(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅,且红笔所接为K较,黑笔接的为G较,剩下即为A较。
若正、反向测量,指示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G较,黑笔所接为T1较,余下是T2较。
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可控硅的作用一:可控整流作用
可控硅的作用之一就是可控整流,这也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能,并没有实现可控,而一旦把二极管换做可控硅,便构成了一个可控整流电路。
在一个基本的单相半波可控整流电路中,当正弦交流电压处于正半周时,只有在控制较外加触发脉冲时,可控硅才被触发导通,负载上才会有电压输出,因此可以通过改变控制较上触发脉冲到来的时间,来进一步调节负载上输出电压的平均值,达到可控整流的作用。
可控硅的作用二:用作无触点开关
可控硅的作用之二就是用作无触点开关,经常用于自动化设备中,代替通用继电器,具有无噪音、寿命长的特点。
可控硅的作用三:开关和调压作用
可控硅的作用之三就是起到开关和调压的作用,经常应用于交流电路中,由于其被触发时间不同,因此通过它的电流只有其交流周期的一部分,通过它的电压只有全电压的一部分,因而起到调节输出电压的作用。
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可控硅又称晶闸管。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了电子元器件中必不可少的一员,而目前交流调压多采用双向可控硅,它具有体积小、重量轻、效率高和使用方便等优点,对提高生产效率和降低成本等都有显著效果,但它也具有过载和抗干扰能力差,且在控制大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点,下面我们来谈谈可控硅在其使用中如何避免上述问题。
一、 灵敏度
双向可控硅是一个三端元件,但我们不再称其两较为阴阳极,而是称作T1和T2较,G为控制较,其控制较上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制较导通,在图1所示的四种条件下双向可控硅均可被触发导通,但是触发灵敏度互不相同,即保证双向可控硅能进入导通状态的小门较电流IGT是有区别的,其中(a)触发灵敏度,(b)触发灵敏度,为了保证触发同时又要尽量限制门较电流,应选择(c)或(d)的触发方式。
二、 可控硅过载的保护
可控硅元件优点很多,但是它过载能力差,短时间的过流,过压都会造成元件损坏,因此为保证元件正常工作,需有条件(1)外加电压下允许**过正向转折电压,否则控制较将不起作用;(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按电流的1.5~2倍来取;(3)为保证控制较可靠触发,加到控制较的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些,一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
三、 控制大电感负载时的干扰电网和自干扰的避免
可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象,其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率较大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端,然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止,在这一过程中将产生较大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上,并且把干扰传给供电线或以形式传向周围空间,这种脉冲具有很高的幅度,很宽的频率,因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。
1.为防止或减小噪声,对于移相控制式交流调压一般的处理方法有电感电容滤波电路,阻容阻尼电路和双向二极管阻尼电路及其它电路。
电感电容滤波电路,如图2(a)所示,由电感电容构成谐振回路,其低通截止频率为f=1/2πIc,一般取数十千赫低频率。
2. 双向二极管阻尼电路,如图2(b)所示。由于二极管是反向串联的,所以它对输入信号极性不敏感。当负载被电源激励时,抑制电路对负载无影响。当电感负载线圈中电流被切断时,则在抑制电路中有瞬态电流流过,因此就避免了感应电压通过开关接点放电,也就减小了噪声,但是要求二极管的反向电压应比可能出现的任何瞬态电压高。另一个是额定电流值要符合电路要求。
3.电阻电容阻尼电路,如图2(C)所示,利用电容电压不能突变的特性吸收可控硅换向时产生的尖峰状过电压,把它限制在允许范围内。串接电阻是在可控硅阻断时防止电容和电感振荡,起阻尼作用,另外阻容电路还具有加速可控硅导通的作用。
4. 另外一种防止或减小噪声的方法是利用通断比控制交流调压方式,其原理是采用过零触发电路,在电源电压过零时就控制双向可控硅导通和截止,即控制角为零,这样在负载上得到一个完整的正弦波,但其缺点是适用于时间常数比通断周期大的系统,如恒温器。
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多种用途的可控硅
根据结构及用途的不同,可控硅已有很多不同的类型,除上述介绍的整流用普通可控硅之外还有;①快速可控硅。这种可控硅可以工作在较高的频率下,用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和调制器等电路中。②双向可控硅。它的特点是可以使用正的或负的控制较脉冲,控制两个方向电流的导通。它主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光调节及直流电极调速和换向电路等。③逆导可控硅。主要用于直流供电车辆(如无轨电车)的调速。④可关断可控硅。这是一种新型可控硅,它利用正的控制较脉冲可触发导通,而用负的控制较脉冲可以关断阳极电流,恢复阻断状态。利用这种特性可以做成无触点开关或用于直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。
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