ST300S20P0螺栓可控硅PRX可控硅 2N1909

智能可控硅模块在各行业的应用广泛，如;电解、电镀、调温、调光、电焊、蓄电池充放电、直流电机调速、交流电机软起动、稳压电源装置、励磁等。据有关单位提供的信息来看，智能可控硅模块主要有以下特点：
1、采用进口玻璃钝化方芯片，模块导通压降小，功耗低，节能效果显着。
2、控制触发电路采用进口贴片元器件组装，全部元器件进行高温老化筛选，可靠性高。
3、采用陶瓷覆铜工艺，焊接工艺特，绝缘强度高，导热性能好，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍。
4、控制触发电路，主电路，导热底板之间相互绝缘，介电强度≥2500ⅤAC 导热底板不带电，安全可靠。
5、控制端口输入0-10V直流信号，可对主电路输出进行平滑调节。
6、控制方式可为：手动电位器控制;仪表控制;微机控制;PLC控制等。
7、适用于阻性或感性负载。

双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为阳极A1和控制较G，另一空脚即为*二阳极A2。确定A1、G较后，再仔细测量A1、G较间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为阳极A1，红表笔所接引脚为控制较G。将黑表笔接已确定的*二阳极A2，红表笔接阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G较瞬间短接，给G较加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接*二阳极A2，黑表笔接阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G较间再次瞬间短接，给G较加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G较间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。 晶闸管（可控硅）的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制较和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制较。
可控硅，英文名称为Silicon Controlled RecTIfier，简写为SCR，是可控硅整流元件的简称，有时也将其称为晶闸管。可控硅是一个具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件，具有体积小、结构简单、功能强、抗高压的特点，现已广泛应用于电视机、电冰箱、无线电遥控、摄像机、定时控制器等设备中。

可控硅又称晶闸管。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了电子元器件中必不可少的一员，而目前交流调压多采用双向可控硅，它具有体积小、重量轻、效率高和使用方便等优点，对提高生产效率和降低成本等都有显著效果，但它也具有过载和抗干扰能力差，且在控制大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点，下面我们来谈谈可控硅在其使用中如何避免上述问题。
一、　灵敏度
双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两较为阴阳极，而是称作T1和T2较，G为控制较，其控制较上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制较导通，在图1所示的四种条件下双向可控硅均可被触发导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的小门较电流IGT是有区别的，其中(a)触发灵敏度，(b)触发灵敏度，为了保证触发同时又要尽量限制门较电流，应选择(c)或(d)的触发方式。
二、 可控硅过载的保护
可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件(1)外加电压下允许**过正向转折电压，否则控制较将不起作用;(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按电流的1.5～2倍来取;(3)为保证控制较可靠触发，加到控制较的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
三、　控制大电感负载时的干扰电网和自干扰的避免
可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象，其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被切断，其变化率较大，因此在电感上产生一个高电压，这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端，然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止，在这一过程中将产生较大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上，并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间，这种脉冲具有很高的幅度，很宽的频率，因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。
1.为防止或减小噪声，对于移相控制式交流调压一般的处理方法有电感电容滤波电路，阻容阻尼电路和双向二极管阻尼电路及其它电路。
电感电容滤波电路，如图2(a)所示，由电感电容构成谐振回路，其低通截止频率为f=1/2πIc，一般取数十千赫低频率。
2.　双向二极管阻尼电路，如图2(b)所示。由于二极管是反向串联的，所以它对输入信号极性不敏感。当负载被电源激励时，抑制电路对负载无影响。当电感负载线圈中电流被切断时，则在抑制电路中有瞬态电流流过，因此就避免了感应电压通过开关接点放电，也就减小了噪声，但是要求二极管的反向电压应比可能出现的任何瞬态电压高。另一个是额定电流值要符合电路要求。
3.电阻电容阻尼电路，如图2(C)所示，利用电容电压不能突变的特性吸收可控硅换向时产生的尖峰状过电压，把它限制在允许范围内。串接电阻是在可控硅阻断时防止电容和电感振荡，起阻尼作用，另外阻容电路还具有加速可控硅导通的作用。
4.　另外一种防止或减小噪声的方法是利用通断比控制交流调压方式，其原理是采用过零触发电路，在电源电压过零时就控制双向可控硅导通和截止，即控制角为零，这样在负载上得到一个完整的正弦波，但其缺点是适用于时间常数比通断周期大的系统，如恒温器。

怎么用万用表判断可控硅的好坏？
首先我们看看可控硅的结构及工作原理
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制较G决定。在控制较G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
怎么用万用表判断可控硅的好坏
1、可控硅结构
可控硅具有三个PN结（J1、J2、J3），构成了四层P1N1P2N2结构，如下图所示。可控硅对外有三个电极，由层P型半导体引出的电极称为阳极A，由*三层P型半导体引出的电极称为控制较G，由*四层N型半导体引出的电极称为阴极K，其中控制较G的存在使得可控硅的工作特性不同于二极管。
2、可控硅工作原理
在分析可控硅工作原理时，我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成。
当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制较G端输入正向触发信号，使得BG2管有基较电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基较，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基较，使得BG2的基较电流ib2，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈，所以可控硅一旦导通后无法关断，即使控制较G端的电流消失，可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
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